casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPP04N60S5BKSA1
Número de pieza del fabricante | SPP04N60S5BKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-SPP04N60S5BKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP04N60S5BKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 580pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP04N60S5BKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPP04N60S5BKSA1-FT |
IPP60R950C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R074C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R150CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel