casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP65R110CFDXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPP65R110CFDXKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPP65R110CFDXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP65R110CFDXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3240pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 277.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP65R110CFDXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP65R110CFDXKSA1-FT |
IPP120N06S403AKSA1
Infineon Technologies
IPP120N06S403AKSA2
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IPP120N06S4H1AKSA1
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IPP120N06S4H1AKSA2
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IPP120N10S405AKSA1
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IPP120P04P404AKSA1
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.