casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSD316SNL6327XT
Número de pieza del fabricante | BSD316SNL6327XT |
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Número de parte futuro | FT-BSD316SNL6327XT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSD316SNL6327XT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 3.7µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 94pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
Paquete / Caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSD316SNL6327XT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSD316SNL6327XT-FT |
IPP90N06S4L04AKSA2
Infineon Technologies
IPP90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP90R500C3
Infineon Technologies
IPP90R500C3XKSA1
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SPP02N60C3HKSA1
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SPP02N60S5HKSA1
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SPP02N80C3XKSA1
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SPP03N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP03N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N50C3HKSA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel