casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSD316SNL6327XT
Número de pieza del fabricante | BSD316SNL6327XT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSD316SNL6327XT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSD316SNL6327XT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 3.7µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 94pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
Paquete / Caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSD316SNL6327XT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSD316SNL6327XT-FT |
IPP90N06S4L04AKSA2
Infineon Technologies
IPP90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP90R500C3
Infineon Technologies
IPP90R500C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP02N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP02N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP02N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP03N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP03N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N50C3HKSA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel