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Infineon Technologies BSD816SNL6327HTSA1

Name: BSD816SNL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSD816SNL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (392 reviews)

Número de pieza de MFG: BSD816SNL6327HTSA1

Cantidad disponible: 97520 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSD816SNL6327HTSA1.pdf

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BSD816SNL6327HTSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSD816SNL6327HTSA1
Número de parte futuro	FT-BSD816SNL6327HTSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSD816SNL6327HTSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 3.7µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 2.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	180pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT363-6
Paquete / Caja	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSD816SNL6327HTSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSD816SNL6327HTSA1-FT

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