casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7701
Número de pieza del fabricante | IRF7701 |
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Número de parte futuro | FT-IRF7701 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7701 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5050pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7701 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF7701-FT |
TK14G65W5,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16G60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20G60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
DMS2120LFWB-7
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DMS2220LFW-7
Diodes Incorporated
PHM12NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHM15NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHM18NQ15T,518
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PHM21NQ15T,518
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PHM25NQ10T,518
NXP USA Inc.
A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
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LFE5UM-45F-8BG381C
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
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5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
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