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Infineon Technologies IRF6711STR1PBF

Name: IRF6711STR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6711STR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (616 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF6711STR1PBF

Cantidad disponible: 37160 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF6711STR1PBF.pdf

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IRF6711STR1PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF6711STR1PBF
Número de parte futuro	FT-IRF6711STR1PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6711STR1PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Ta), 84A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1810pF @ 13V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ SQ
Paquete / Caja	DirectFET™ Isometric SQ
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6711STR1PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF6711STR1PBF-FT

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