casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7759L2TR1PBF
Número de pieza del fabricante | IRF7759L2TR1PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF7759L2TR1PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7759L2TR1PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 26A (Ta), 375A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 96A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12222pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DIRECTFET L8 |
Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric L8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7759L2TR1PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF7759L2TR1PBF-FT |
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IXYS
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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EP4CE75F29C8
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