casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7799L2TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF7799L2TRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF7799L2TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7799L2TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 375A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6714pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4.3W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DIRECTFET L8 |
Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric L8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7799L2TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF7799L2TRPBF-FT |
CPC3708CTR
IXYS Integrated Circuits Division
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