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Infineon Technologies IRF7799L2TRPBF

Número de pieza de MFG
IRF7799L2TRPBF
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82620 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRF7799L2TRPBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF7799L2TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 375A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6714pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET L8
Paquete / Caja DirectFET™ Isometric L8
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7799L2TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF7799L2TRPBF-FT

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