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Infineon Technologies IPW60R099CPAFKSA1

Name: IPW60R099CPAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R099CPAFKSA1
Price: 5.388368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (306 reviews)

Número de pieza de MFG: IPW60R099CPAFKSA1

Cantidad disponible: 19530 Piezas

Precio de referencia: USD 5.388368

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 31A TO-247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPW60R099CPAFKSA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IPW60R099CPAFKSA1
Número de parte futuro	FT-IPW60R099CPAFKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
IPW60R099CPAFKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	31A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2800pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW60R099CPAFKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPW60R099CPAFKSA1-FT

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