casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI47N10SL26AKSA1
Número de pieza del fabricante | IPI47N10SL26AKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPI47N10SL26AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
IPI47N10SL26AKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 175W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI47N10SL26AKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI47N10SL26AKSA1-FT |
BSB015N04NX3GXUMA1
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