casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI070N08N3 G
Número de pieza del fabricante | IPI070N08N3 G |
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Número de parte futuro | FT-IPI070N08N3 G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI070N08N3 G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 73A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 73µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3840pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 136W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI070N08N3 G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI070N08N3 G-FT |
IPW65R045C7300XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7FKSA1
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IPW65R080CFDFKSA1
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IPW65R110CFDFKSA1
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IPW65R190CFDFKSA1
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IPW65R280C6FKSA1
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IPW65R280E6FKSA1
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IPW65R310CFDFKSA1
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A40MX02-VQG80M
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EX128-PTQG64
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5SGXEA7N1F40C2
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
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LFEC6E-5F256C
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EP2S60F1020C5
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