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Infineon Technologies IPW65R190E6FKSA1

Número de pieza de MFG
IPW65R190E6FKSA1
Cantidad disponible
87170 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IPW65R190E6FKSA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
IPW65R190E6FKSA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 730µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1620pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW65R190E6FKSA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPW65R190E6FKSA1-FT

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