casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW65R190E6FKSA1
Número de pieza del fabricante | IPW65R190E6FKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPW65R190E6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW65R190E6FKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1620pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 151W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R190E6FKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPW65R190E6FKSA1-FT |
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel