casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW65R110CFDFKSA1
Número de pieza del fabricante | IPW65R110CFDFKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPW65R110CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW65R110CFDFKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3240pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 277.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R110CFDFKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPW65R110CFDFKSA1-FT |
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P7XKSA1
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IPP60R060P7XKSA1
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IPP60R080P7XKSA1
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IPP60R099P7XKSA1
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IPP60R120P7XKSA1
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IPP60R280P7XKSA1
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IPP60R360P7XKSA1
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IPD80R2K0P7ATMA1
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel