casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW65R190C6FKSA1
Número de pieza del fabricante | IPW65R190C6FKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPW65R190C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW65R190C6FKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1620pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 151W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R190C6FKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPW65R190C6FKSA1-FT |
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P7XKSA1
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IPP60R060P7XKSA1
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IPP60R080P7XKSA1
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IPP60R099P7XKSA1
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IPD80R2K0P7ATMA1
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IPD80R600P7ATMA1
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XCV200-5FG256I
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M7A3P1000-FGG256I
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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