casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD95R750P7ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPD95R750P7ATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPD95R750P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPD95R750P7ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 950V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 712pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 73W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD95R750P7ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPD95R750P7ATMA1-FT |
IPAW60R600CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA70R900P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R190CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA70R750P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAW60R280CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R600P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel