casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPAW60R600CEXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPAW60R600CEXKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPAW60R600CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPAW60R600CEXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 444pF @ 100V |
Característica FET | Super Junction |
Disipación de potencia (max) | 28W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R600CEXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPAW60R600CEXKSA1-FT |
BSP298 E6327
Infineon Technologies
BSP298L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP299 E6327
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BSP299L6327HUSA1
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BSP300 E6327
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BSP300L6327HUSA1
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BSP315P-E6327
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BSP315PE6327T
Infineon Technologies
BSP315PH6327XTSA1
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BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel