casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP300L6327HUSA1
Número de pieza del fabricante | BSP300L6327HUSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSP300L6327HUSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP300L6327HUSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 190mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 230pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP300L6327HUSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSP300L6327HUSA1-FT |
IPU60R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU60R1K0CEAKMA2
Infineon Technologies
IPU60R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU60R1K4C6AKMA1
Infineon Technologies
IPU60R1K4C6BKMA1
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IPU60R1K5CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU60R1K5CEAKMA2
Infineon Technologies
IPU60R1K5CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K0C6AKMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K0C6BKMA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel