casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPAW60R280CEXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPAW60R280CEXKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPAW60R280CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPAW60R280CEXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19.3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 950pF @ 100V |
Característica FET | Super Junction |
Disipación de potencia (max) | 32W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Variant |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R280CEXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPAW60R280CEXKSA1-FT |
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP315PL6327HTSA1
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BSP316PE6327
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BSP316PE6327T
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BSP316PH6327XTSA1
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BSP316PL6327HTSA1
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BSP317PE6327
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BSP317PE6327T
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BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
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AGL030V2-CSG81
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MPF300T-1FCG484I
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5SGXMA5N2F40C2LN
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5SGXMA7N3F45I3LN
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5SGXEB6R3F43C2L
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XC2VP7-7FF672C
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XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
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