casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA60R280P7XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA60R280P7XKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPA60R280P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPA60R280P7XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 761pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 24W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R280P7XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA60R280P7XKSA1-FT |
BSP299L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP300 E6327
Infineon Technologies
BSP300L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP315P-E6327
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BSP315PE6327T
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BSP315PH6327XTSA1
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BSP315PL6327HTSA1
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BSP316PE6327
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BSP316PE6327T
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BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
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EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
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EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel