casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUF75343S3ST
Número de pieza del fabricante | HUF75343S3ST |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HUF75343S3ST |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75343S3ST Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 205nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 270W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75343S3ST Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUF75343S3ST-FT |
FQB15P12TM
ON Semiconductor
FQB16N15TM
ON Semiconductor
FQB16N25CTM
ON Semiconductor
FQB16N25TM
ON Semiconductor
FQB17N08LTM
ON Semiconductor
FQB17N08TM
ON Semiconductor
FQB17P06TM
ON Semiconductor
FQB17P10TM
ON Semiconductor
FQB19N10LTM
ON Semiconductor
FQB19N10TM
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel