casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQB17N08LTM
Número de pieza del fabricante | FQB17N08LTM |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQB17N08LTM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB17N08LTM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 8.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 520pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB17N08LTM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQB17N08LTM-FT |
FDB029N06
ON Semiconductor
FDB035N10A
ON Semiconductor
FQB25N33TM-F085
ON Semiconductor
HUF75639S3ST
ON Semiconductor
FQB44N10TM
ON Semiconductor
FQB50N06LTM
ON Semiconductor
FQB11N40CTM
ON Semiconductor
FQB6N80TM
ON Semiconductor
FDB045AN08A0-F085
ON Semiconductor
FDB14N30TM
ON Semiconductor
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel