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ON Semiconductor FQB19N10LTM

Name: FQB19N10LTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQB19N10LTM
Availability: InStock
Rating: 4.5 (355 reviews)

Número de pieza de MFG: FQB19N10LTM

Cantidad disponible: 26970 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQB19N10LTM.pdf

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FQB19N10LTM Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQB19N10LTM
Número de parte futuro	FT-FQB19N10LTM
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQB19N10LTM Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	870pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.75W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB19N10LTM Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQB19N10LTM-FT

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