casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQB17P10TM
Número de pieza del fabricante | FQB17P10TM |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQB17P10TM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB17P10TM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 8.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 100W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB17P10TM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQB17P10TM-FT |
HUF75639S3ST
ON Semiconductor
FQB44N10TM
ON Semiconductor
FQB50N06LTM
ON Semiconductor
FQB11N40CTM
ON Semiconductor
FQB6N80TM
ON Semiconductor
FDB045AN08A0-F085
ON Semiconductor
FDB14N30TM
ON Semiconductor
FDB16AN08A0
ON Semiconductor
FDB20N50F
ON Semiconductor
FDB28N30TM
ON Semiconductor
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation