casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2817-TR1G
Número de pieza del fabricante | HSMS-2817-TR1G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2817-TR1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2817-TR1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 20V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2817-TR1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2817-TR1G-FT |
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
A54SX08-1TQG144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXMA5K3F40I3N
Intel
EP3SL340H1152C2N
Intel
5CGTFD5C5U19I7N
Intel
10AX115S2F45I1SG
Intel