casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2815-TR2G
Número de pieza del fabricante | HSMS-2815-TR2G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2815-TR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2815-TR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 20V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2815-TR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2815-TR2G-FT |
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
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BAR6302LE6327XTMA1
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BAR6302LE6433XT
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BAR6402LRHE6327XTSA1
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BAR8802LRHE6327XTSA1
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BAR8902LRHE6327XTSA1
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BAR8902LRHE6433XTMA1
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BAR9002ELSE6327XTSA1
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BAR9002LRHE6327XTSA1
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LFXP3E-3TN144I
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XC3S1200E-4FTG256I
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M2GL010T-FGG484
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AFS250-FG256I
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5SGXMA5N3F40I4N
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5SGXMA7K3F35C2LN
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XC4020XL-2BG256I
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XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
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EP2AGX125EF29C6N
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