casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2815-TR2G
Número de pieza del fabricante | HSMS-2815-TR2G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2815-TR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2815-TR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 20V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2815-TR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2815-TR2G-FT |
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
EX128-FTQ100
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FG676I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C7
Intel
EPF10K100EFC484-1X
Intel
EP2C20F256I8N
Intel
5SGXEA7K2F40I3N
Intel
5SGXMA5N3F40C3N
Intel
EP4CGX22CF19C6N
Intel