casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR 65-02L E6327
Número de pieza del fabricante | BAR 65-02L E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BAR 65-02L E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR 65-02L E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 900 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-882 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 65-02L E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR 65-02L E6327-FT |
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
XC6SLX100T-2FGG484I
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95DF25I3
Intel
EP4SE530H35C3ES
Intel
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9U19C7N
Intel
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP3CLS150F780C8N
Intel
EP1SGX40GF1020I6N
Intel