casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2808-TR2G
Número de pieza del fabricante | HSMS-2808-TR2G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2808-TR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2808-TR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 70V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2808-TR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2808-TR2G-FT |
BA 892-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02L E6327
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BAR 64-02LRH E6433
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BAR 65-02L E6327
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BAR 88-02LRH E6433
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BAR6302LE6327XTMA1
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BAR6302LE6433XT
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BAR6402LRHE6327XTSA1
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BAR8802LRHE6327XTSA1
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BAR8902LRHE6327XTSA1
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