casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / GPP100MS-E3/54
Número de pieza del fabricante | GPP100MS-E3/54 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GPP100MS-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GPP100MS-E3/54 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 10A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 5.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | P600, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | P600 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPP100MS-E3/54 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GPP100MS-E3/54-FT |
1N4151W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel