casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4151W-G3-18
Número de pieza del fabricante | 1N4151W-G3-18 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N4151W-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4151W-G3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 50mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50nA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4151W-G3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4151W-G3-18-FT |
M3035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MI3035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MI3045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel