casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / V20120SG-E3/4W
Número de pieza del fabricante | V20120SG-E3/4W |
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Número de parte futuro | FT-V20120SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V20120SG-E3/4W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20120SG-E3/4W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | V20120SG-E3/4W-FT |
VS-APU3006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APU6006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APU6006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
66PQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
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EP1SGX40GF1020C6
Intel