casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4448W-E3-18
Número de pieza del fabricante | 1N4448W-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-1N4448W-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4448W-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 720mV @ 5mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448W-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4448W-E3-18-FT |
MI3045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation