casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4448W-HE3-08
Número de pieza del fabricante | 1N4448W-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-1N4448W-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4448W-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 720mV @ 5mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448W-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4448W-HE3-08-FT |
V20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation