casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQI4N20TU
Número de pieza del fabricante | FQI4N20TU |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQI4N20TU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQI4N20TU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 220pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI4N20TU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQI4N20TU-FT |
IRFH5206TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5207TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5207TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5210TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5210TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5250DTR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5250DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH5250TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5250TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5255TR2PBF
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel