casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5207TR2PBF
Número de pieza del fabricante | IRFH5207TR2PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFH5207TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5207TR2PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Ta), 71A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2474pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 105W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5207TR2PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH5207TR2PBF-FT |
IPW60R045CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R230P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R280P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R330P6FKSA1
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel