casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5250DTRPBF
Número de pieza del fabricante | IRFH5250DTRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFH5250DTRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5250DTRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6115pF @ 13V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5250DTRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH5250DTRPBF-FT |
IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190P6FKSA1
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IPW65R190C7XKSA1
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XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
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M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
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EP3SL200F1517C2N
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5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel