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Infineon Technologies IPW65R019C7FKSA1

Número de pieza de MFG
IPW65R019C7FKSA1
Cantidad disponible
15370 Piezas
Precio de referencia
USD 19.408
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolMOS™ C7 MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IPW65R019C7FKSA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ C7
IPW65R019C7FKSA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 75A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.92mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 215nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9900pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 446W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW65R019C7FKSA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPW65R019C7FKSA1-FT

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