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Infineon Technologies IRFH5210TR2PBF

Número de pieza de MFG
IRFH5210TR2PBF
Cantidad disponible
69640 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRFH5210TR2PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFH5210TR2PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2570pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja 8-PowerVDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5210TR2PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFH5210TR2PBF-FT

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