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ON Semiconductor FQE10N20CTU

Name: FQE10N20CTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQE10N20CTU
Availability: InStock
Rating: 4.7 (244 reviews)

Número de pieza de MFG: FQE10N20CTU

Cantidad disponible: 29910 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQE10N20CTU.pdf

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Número de pieza del fabricante	FQE10N20CTU
Número de parte futuro	FT-FQE10N20CTU
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQE10N20CTU Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	510pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	12.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-126-3
Paquete / Caja	TO-225AA, TO-126-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQE10N20CTU Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQE10N20CTU-FT

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