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GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA

Name: 2N7635-GA
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 2N7635-GA
Availability: InStock
Rating: 5.0 (306 reviews)

Número de pieza de MFG: 2N7635-GA

Cantidad disponible: 28360 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: GeneSiC Semiconductor

Breve descripción: - TRANS SJT 650V 4A TO-257

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: 2N7635-GA.pdf

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2N7635-GA Presupuesto

Número de pieza del fabricante	2N7635-GA
Número de parte futuro	FT-2N7635-GA
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
2N7635-GA Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc) (165°C)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	324pF @ 35V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-257
Paquete / Caja	TO-257-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7635-GA Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	2N7635-GA-FT

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