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Infineon Technologies IPT111N20NFDATMA1

Name: IPT111N20NFDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT111N20NFDATMA1
Price: 3.338992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (673 reviews)

Número de pieza de MFG: IPT111N20NFDATMA1

Cantidad disponible: 47540 Piezas

Precio de referencia: USD 3.338992

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPT111N20NFDATMA1.pdf

IPT111N20NFDATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPT111N20NFDATMA1
Número de parte futuro	FT-IPT111N20NFDATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPT111N20NFDATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	96A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 267µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7000pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja	8-PowerSFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT111N20NFDATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPT111N20NFDATMA1-FT

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