casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPZA60R080P7XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPZA60R080P7XKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPZA60R080P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPZA60R080P7XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 37A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 11.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2180pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 129W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-4 |
Paquete / Caja | TO-247-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZA60R080P7XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPZA60R080P7XKSA1-FT |
IPI70N10S3L12AKSA1
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IPI70N10SL16AKSA1
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IPI80N04S303AKSA1
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IPI80N04S304AKSA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
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LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel