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Infineon Technologies IPZ60R037P7XKSA1

Name: IPZ60R037P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ60R037P7XKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.9 (568 reviews)

Número de pieza de MFG: IPZ60R037P7XKSA1

Cantidad disponible: 86750 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPZ60R037P7XKSA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IPZ60R037P7XKSA1
Número de parte futuro	FT-IPZ60R037P7XKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ P7
IPZ60R037P7XKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	76A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.48mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	121nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5243pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4
Paquete / Caja	TO-247-4
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPZ60R037P7XKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPZ60R037P7XKSA1-FT

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