casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDL100N50F
Número de pieza del fabricante | FDL100N50F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDL100N50F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDL100N50F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 238nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2500W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264-3 |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDL100N50F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDL100N50F-FT |
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R070P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R125P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ65R019C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation