casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQNL1N50BTA
Número de pieza del fabricante | FQNL1N50BTA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQNL1N50BTA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQNL1N50BTA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 270mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 135mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQNL1N50BTA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQNL1N50BTA-FT |
IPZA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R070P6FKSA1
Infineon Technologies
IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel