casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FK3506010L
Número de pieza del fabricante | FK3506010L |
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Número de parte futuro | FT-FK3506010L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FK3506010L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12pF @ 3V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMini3-F2-B |
Paquete / Caja | SC-85 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FK3506010L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FK3506010L-FT |
RJK0301DPB-02#J0
Renesas Electronics America
RJK0305DPB-02#J0
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RJK0328DPB-01#J0
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation