casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJK0305DPB-02#J0
Número de pieza del fabricante | RJK0305DPB-02#J0 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RJK0305DPB-02#J0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK0305DPB-02#J0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1250pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0305DPB-02#J0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RJK0305DPB-02#J0-FT |
RS1P600BETB1
Rohm Semiconductor
RS1E300GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E320GNTB
Rohm Semiconductor
2SK1835-E
Renesas Electronics America
2SK1317-E
Renesas Electronics America
2SJ162-E
Renesas Electronics America
2SK1058-E
Renesas Electronics America
2SK1339-E
Renesas Electronics America
2SK1340-E
Renesas Electronics America
2SK1341-E
Renesas Electronics America
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel