casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RS1P600BETB1
Número de pieza del fabricante | RS1P600BETB1 |
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Número de parte futuro | FT-RS1P600BETB1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1P600BETB1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17.5A (Ta), 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2200pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Ta), 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSOP |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1P600BETB1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RS1P600BETB1-FT |
RHK003N06T146
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