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Rohm Semiconductor RS1P600BETB1

Número de pieza de MFG
RS1P600BETB1
Cantidad disponible
22210 Piezas
Precio de referencia
USD 0.980672
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RS1P600BETB1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2200pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSOP
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1P600BETB1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RS1P600BETB1-FT

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