casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RS1P600BETB1
Número de pieza del fabricante | RS1P600BETB1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RS1P600BETB1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1P600BETB1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17.5A (Ta), 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2200pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Ta), 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSOP |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1P600BETB1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RS1P600BETB1-FT |
RHK003N06T146
Rohm Semiconductor
RF4E100AJTCR
Rohm Semiconductor
RF4E080GNTR
Rohm Semiconductor
RF4C050APTR
Rohm Semiconductor
RF4E070GNTR
Rohm Semiconductor
RF4E075ATTCR
Rohm Semiconductor
RF4E080BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110GNTR
Rohm Semiconductor
RF4E070BNTR
Rohm Semiconductor
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel