casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJK0301DPB-02#J0
Número de pieza del fabricante | RJK0301DPB-02#J0 |
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Número de parte futuro | FT-RJK0301DPB-02#J0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK0301DPB-02#J0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5000pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 65W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 5-LFPAK |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0301DPB-02#J0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RJK0301DPB-02#J0-FT |
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