casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RJK0451DPB-00#J5
Número de pieza del fabricante | RJK0451DPB-00#J5 |
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Número de parte futuro | FT-RJK0451DPB-00#J5 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK0451DPB-00#J5 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2010pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0451DPB-00#J5 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RJK0451DPB-00#J5-FT |
2SJ162-E
Renesas Electronics America
2SK1058-E
Renesas Electronics America
2SK1339-E
Renesas Electronics America
2SK1340-E
Renesas Electronics America
2SK1341-E
Renesas Electronics America
2SK1342-E
Renesas Electronics America
2SK1518-E
Renesas Electronics America
2SK1775-E
Renesas Electronics America
2SK1859-E
Renesas Electronics America
2SK2221-E
Renesas Electronics America
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel