casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDN335N
Número de pieza del fabricante | FDN335N |
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Número de parte futuro | FT-FDN335N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDN335N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 310pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SuperSOT-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN335N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDN335N-FT |
FDG329N
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PMG45UN,115
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SI1400DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1401EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1402DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1402DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
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XA3S400A-4FTG256I
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A3P250-1FG256
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel